慧智微今日登陆科创板 致力于射频芯片国产化替代
集微网消息 5月16日，慧智微在上海证券交易所科创板上市，公司证券代码为688512，发行价格20.92元/股。截止发稿前，慧智微每股报19.06元，总市值达86.25亿元。
慧智微是一家为智能手机、物联网等领域提供射频前端的芯片设计公司，主营业务为射频前端芯片及模组的研发、设计和销售。公司具备全套射频前端芯片设计能力和集成化模组研发能力，技术体系以功率放大器（PA）的设计能力为核心，兼具低噪声放大器（LNA）、射频开关（Switch）、集成无源器件滤波器（IPD Filter）等射频器件的设计能力，产品系列覆盖的通信频段需求包括 2G、3G、4G、3GHz 以下的 5G 重耕频段、3GHz~6GHz 的 5G 新频段等，可为客户提供无线通信射频前端发射模组、接收模组等，其产品应用于三星、OPPO、vivo、荣耀等国内外智能手机品牌机型，并进入闻泰科技、华勤通讯等一线移动终端设备 ODM厂商和移远通信、广和通、日海智能等头部无线通信模组厂商。
自 2011 年成立以来，慧智微一直专注于射频前端芯片领域，基于多年的技术积累，提出可重构射频前端平台，采用基于“绝缘硅（SOI）+砷化镓（GaAs）”两种材料体系的可重构射频前端技术路线，隶属于工信部并由中国科学技术协会管理的中国通信学会向慧智微等提交的“多频多模移动终端可重构射频芯片关键技术与产业化应用”项目授予了 2021 年通信学会科学技术一等奖，认为“基于SOI 和 GaAs 的 SiP 架构的可重构射频前端设计方案支持软件控制和调谐，使得目标频段模式下的性能得到进一步优化，解决了传统射频前端芯片无法有效进行多频段多模式覆盖的问题”，经该奖项的评价委员会认定，“该项目总体技术达到广州慧智微电子国际先进水平，其中 SOI 和 GaAs 的 SiP 架构的可重构射频前端芯片技术处于国际领先水平”。
继绝缘硅在低噪声放大器、射频开关等器件成为市场主流材料后，慧智微将绝缘硅引入到功率放大器领域并成功商用，掌握高频模拟信号智能调控的实现路径，形成了自主的可重构射频前端架构，并将其拓展到 LNA、IPD 滤波器等领域。目前公司可重构射频前端架构的相关产品累计出货已经超过 1 亿颗，充分验证了公司技术路线的适用性和产品质量的可靠性。
在射频功率放大器领域，国际射频前端龙头企业采用全砷化镓功率放大器结合体硅控制器的宽带设计架构，为国产厂商设置了较大的专利门槛、规模门槛和盈利门槛，慧智微凭借底层技术架构创新突破国际巨头的专利壁垒，提升性能，优化成本，基于自研架构带来的高集成度优势还顺应了 5G 射频前端的发展趋势，为公司的技术升级和产品迭代奠定坚实的基础。