随着美国微光科技在日本广岛工厂的扩建计划推进,全球存储公司争夺人工智能(AI)内存制造基地的竞争日益激烈。
根据7月6日外媒报道的综合信息,微光于当地时间3月4日为其日本广岛工厂的扩建举行了奠基仪式。
此次投资规模为1.5万亿日元,约合14.22万亿韩元(94.8亿美元)。
微光计划在现有广岛工厂新增一座制造大楼,用于生产AI内存芯片,如HBM。预计产品将在2028年夏季左右开始出货。
日本政府也在大力提供支持。
经济产业省已知向广岛工厂的建设费用投入最高达5000亿日元的支持资金。
此举被解读为日本通过扶持唯一在本土拥有DRAM制造基地的微光,来确保先进内存生产基地的战略。
尤其是AI内存供应短缺成为此次投资的背景。
微光最近诊断出,内存供应短缺在短期内难以解决,因而加速了投资步伐。
微光首席执行官萨杰·梅赫罗特拉(Sanjay Mehrotra)近日指出,2023年内存价格的急剧下跌以及客户降低价格的压力削弱了行业的投资能力。
他解释说,当时由于内存市场状况恶化,资本支出下降,导致了目前的供需失衡。
微光正加速在日本以及美国的产能扩张。
该公司目前正在美国爱达荷州博伊西建设一座最先进的生产设施,并且还在纽约州锡拉丘兹以外的地区推进大规模的DRAM生产设施投资。
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