AI算力的万亿棋局:所有人盯着GPU,真正卡脖子的却是这块"隐形印钞机"
创始人
2026-06-17 23:54:43
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HBM(High Bandwidth Memory,高带宽内存),这个藏在GPU背后的关键组件,不只是算力引擎的"燃料舱",更是英伟达产能扩张绕不开的咽喉要道。

涨势背后,是HBM比GPU更为严峻的供需失衡。

SEMI中国总裁冯莉曾指出,2026年HBM市场规模增长58%至546亿美元;尽管三星、SK海力士、美光已将70%的新增产线倾斜至HBM,产能缺口依然高达50%至60%。

高盛等多家投行机构亦给出结论:这场“内存荒”绝非短期脉冲,HBM供不应求的结构性短缺至少将持续到2028年。

这不是一场普通的供需失衡,而是一场关乎AI产业话语权的战略资源争夺。在这场没有硝烟的战争中,HBM超级缺口所创造的巨额利润,到底被谁赚走了?中国产业链又能在哪个环节分到蛋糕?

01

投资算力,为什么HBM很重要?

没有HBM,再强的GPU也只是“空转引擎”。

很多人以为AI的瓶颈是算力,但真正的卡脖子环节是“数据喂不饱核心”。训练大模型需要算力,推理应用需要带宽;而带宽的尽头,就是HBM。

简单理解:GPU是赛车引擎,HBM是燃油喷射系统。如果燃油供给速度跟不上,引擎马力再大也只能空转。HBM正是解决这一“内存墙”瓶颈的关键:它通过3D堆叠技术,把多块DRAM芯片像“叠罗汉”一样垂直封装,再用数千条微细通道(TSV硅通孔)同时传输数据,带宽远超传统DDR内存。

一句话:HBM不是AI的“可选配件”,而是决定AI能走多快的“氧气瓶”。没有它,再强的算力也只能窒息。

02

HBM缺货,凭什么说这不是短期炒作?

三年结构性缺口:这不是周期,是“物理锁死”。

HBM短缺不是周期性炒作,而是由AI模型参数爆发、推理需求崛起、HBM"吞噬"产能等多重力量驱动的结构性长期缺口。

需求端,HBM需求由"算力军备竞赛"驱动,只要AI基础设施长期资本开支不停,HBM需求就维持刚性高位。供给侧,SK海力士、三星、美光三大厂商2026年HBM产能全部售罄。即便现在决定扩产,受限于TSV(硅通孔)工艺、先进封装良率、设备交付周期等物理约束,新增产能释放最快也要到2028-2029年。

国际投行普遍认为紧张局面将延续至2028年,供不应求是至少3年级别的产业趋势,而非季度行情。

当需求是刚性的、产能是锁死的,价格就有了最硬的支撑。

03

谁站在利润分配链顶端?

HBM利润呈"金字塔"分配:越靠近技术核心与瓶颈环节,分配比例越高。

头部存储原厂凭借技术垄断和产能稀缺,赚取了产业链中的绝大部分超额利润。据统计,SK海力士、三星与美光毛利率突破70%甚至80%,成为本轮“超级周期”的核心受益者。

而HBM三巨头的定价权建立在对英伟达等大客户的深度绑定之上。6月5日,黄仁勋首次公开证实,SK海力士、三星电子和美光科技均已通过认证,可为英伟达AI加速器供应最先进的高带宽存储芯片。客户认证周期长达6-12个月,一旦锁定便不轻易更换,这意味着存储原厂的话语权短期内难以撼动。

先进封装是HBM产业的隐形瓶颈。台积电CoWoS封装晶圆均价已逼近7nm先进制程水平(约1万美元/片),且产能连续两年翻倍仍供不应求。

设备与材料商是“卖铲子的人”。设备与材料商受益于全球HBM扩产的确定性订单,业绩能见度最高,但其利润率弹性不及原厂。

04

中国存储的HBM地图

在HBM超级缺口的产业巨浪中,中国产业链正从晶圆攻坚、先进封装、设备材料三大方向同步突围。

国内HBM的晶圆制造面临制程差距与设备封锁双重夹击。长鑫存储负责HBM的DRAM前端工艺,长江存储贡献3D封装技术,双方联合攻坚。这一环节技术壁垒高,国产替代周期长,属于“战略储备”而非“短期业绩”。

封装是中国更现实的突破口。通富微电(002156)与长电科技(600584)分别依托AMD供应链优势及XDFOI平台,在2.5D/3D先进封装领域处于国内领先地位。台积电CoWoS产能紧缺外溢至OSAT企业,为长电、通富等创造了增量订单空间。

设备材料端,中国已实现若干关键突破。北方华创(002371)、中微公司(688012)在TSV刻蚀和薄膜沉积设备方面取得进展。雅克科技(002409)前驱体材料绑定SK海力士、三星等国际客户,联瑞新材是国内唯一实现Low-α球形氧化铝量产的企业,产品通过EMC厂商间接进入全球头部存储大厂供应链。这些上游“卖水人”正在从全球HBM扩产中持续受益。

一句话总结:晶圆端看“突破”,封装端看“订单”,设备材料端看“产能”。三条路线中,封装与材料端的国产替代窗口已经打开,是现阶段产业链上“看得见、摸得着”的环节。

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