原创 美国担忧成真：中国用落后设备，制造出先进内存、闪存芯片了
中国一直是芯片进口大国，从数据上来看，中国每年进口的芯片价值，占全球芯片产价值的60-70%，之前每年的金额超过4000亿美元，最近几年回落，也是接近4000亿美元。
而其中，存储芯片占到25-30%左右，主要是NAND闪存，DRAM内存这两样。
美国垄断了全球50%以上的芯片市场，美国+韩国则垄断了全球90%以上的存储芯片市场。
所以，美国一直不希望中国芯片产业发展起来，毕竟韩国也是美国的小弟，只要中国芯片产业没有崛起，美国就可以从中国赚钱，同时还能够获得政治利益。
所以，这几年，当中国芯片产业高速发展时，美国就各种卡脖子，主要是卡住先进的半导体设备，进入中国市场。
因为任何先进芯片的制造，都需要先进的设备，没有先进的设备，就相当于无米之炊，不可能用手搓吧。
不过，让美国万万没有想到的是，中国用落后的设备，也制造出先进的内存、闪存芯片出来了，这也是美国最担忧的事情。
先说DRAM内存方面，前段时间，很多媒体报道称，长存已经推出了国产DDR5第七代内存，打破了三星、SK与美光在DDR5上的垄断。
且这个DDR5内存，或采用17.5nm的技术，而美国之前是想锁死我们的DRAM芯片技术在18nm的，明显已经突破了。
而三星、美光等厂商们，其技术也是在DDR5，可见相差并不远了，基本已经接近了。
再看NAND方面，长存曾经是全球第一家量产232层堆叠3D NAND的厂商，但后来美国打压，导致长存购买设备受限。
但近日，有媒体报道称，长江存储已开始出货其第五代3D NAND存储芯片，该芯片共有294层。其存储密度接近每平方毫米20Gb（19.8 Gb/mm²），已经不输给三星、美光等品牌了。
且长存的这款产品，采用的是Xtacking 4.0架构和三级单元 (TLC) 设计，这都是自研的技术。虽然从层数来看，较三星等还有一点点差距，但明显已经追上来了。
可见，美国虽然不准先进的芯片设备卖给我们，但我们基于落后的设备，一样制造出先进的存储芯片，接下来估计整个存储芯片市场都会面临大洗牌，不知道美国、韩国厂商们，准备好迎接中国厂商的挑战没有，要知道中国厂商最擅长于将高科技产品变成白菜价。