中关村顺义园第三代半导体产业实现新突破
顺义区第三代半导体产业发展传来新消息，中关村顺义园企业北京铭镓半导体有限公司在超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破，已领先于国际同类产品标准。
北京铭镓半导体有限公司董事长陈政委介绍，半绝缘型(010)铁掺衬底和该衬底加导电型薄膜外延，目前国际可做到25毫米×25毫米尺寸，而铭镓半导体可以做到40毫米×25毫米尺寸，可稳定生产多炉且累计一定库存。导电型(001)锡掺衬底和该衬底加导电型薄膜外延，目前国际上可达到4英寸，铭镓半导体已实现大尺寸衬底工艺突破，并将逐步稳定工艺供货。
目前，中关村顺义园已聚集北京铭镓半导体有限公司在内的27家“三代半”实体企业，涵盖微波射频、电力电子等领域，其中，规模以上企业10家。金冠电气、能源互联网加速器、漠石科技等都是今年新增加的实体项目。
项目的不断升级与中关村顺义园的各项举措密不可分。园区制定了“三代半”产业基地控制性规划和基地配套设施布局规划，着力提升基础设施配套。
“目前，日处理量1000吨的工业污水处理临时设施已竣工并投入使用，张喜庄110千伏变电站于今年初投用，‘三代半’标厂二期项目整体进度处于地下结构施工阶段，部分进入地上结构施工阶段。”中关村顺义园相关负责人告诉记者。
除了基础设施保障过硬，软件环境配套也跟得上。园区发布了《关于促进中关村顺义园第三代半导体等前沿半导体产业创新发展的若干措施》等系列政策，对技术研发、科技成果转化、芯片流片验证等给予单项最高3000万元支持，并持续加大人才、资金、厂房等方面的支持力度，全方位助力企业发展壮大。
关注前沿产业，跟进基础配套，中关村顺义园的“三代半”产业实现了跨越式发展。国联万众已投产，产能正处于爬坡阶段；特思迪已在“三代半”标厂一期开始生产；瑞能半导体项目的厂房已完成加固并通过竣工验收；晶格领域二期项目25台设备已进场……未来，更多先进的第三代半导体产业成果有望从中关村顺义园走出，引领行业发展。