彤程新材光刻胶项目新进展 首批产品出货指标对标国际大厂
11月5日晚间，彤程新材(603650)披露光刻胶项目最新进展——公司已经完成ArF光刻胶部分型号的开发，首批ArF光刻胶的各项出货指标能对标国际光刻胶大厂产品，已具备量产能力等。
彤程新材于2020年12月2日曾公告一则对外投资项目，决定通过全资子公司彤程电子在上海化学工业区投资建设年产1.1万吨半导体、平板显示用光刻胶及2万吨相关配套试剂项目。
如今，彤程新材在最新公告中介绍，上述项目工程阶段已竣工，目前已逐步进入试生产阶段。公司上海化学工业区工厂占地36200平方米，设计能力年产1千吨半导体光刻胶、1万吨显示用光刻胶和2万吨高纯EBR试剂（光刻胶去边剂）。同时在国际国内半导体厂商及光刻胶厂商战略合作推动下，完成了产线优化及品控升级。
从公告披露的具体情况来看，半导体光刻胶产能建设方面，公司上海化学工业区工厂年产1千吨半导体光刻胶量产产线，主要包括年产300/400吨ArF及KrF光刻胶量产产线，通过采用超高纯PFA（涂层）设备、引入高精度物料流量控制系统、配以自研的高精度高效率光刻过滤系统，可以实现ppt级金属杂质及0.1um级别的颗粒管控，具备不同配方先进制程光刻胶的生产能力。
半导体光刻胶产品开发及量产方面，主要涉及到两款产品。其中，在ArF光刻胶产品方面，彤程新材已经完成ArF光刻胶部分型号的开发，首批ArF光刻胶的各项出货指标能对标国际光刻胶大厂产品，已具备量产能力，目前处于量产前的光刻工艺测试及产品验证阶段，能否验证通过尚存在一定的不确定性。产能可同时供应国内大部分芯片制造商，能较好地满足国内先进制程光刻胶的部分需求。
此外，目前，彤程新材称G线光刻胶已经占据国内较大的市场份额；I线光刻胶已广泛应用于国内6"、8"、12"集成电路产线，支持的工艺制程涵盖14nm及以上工艺。KrF光刻胶量产品种达20种以上，稳定供应国内头部芯片制造商。
在其他电子化学品项目建设及开发方面，彤程新材表示，为了解决ArF光刻胶所需的高纯溶剂及国内先进工艺制程的需求，公司已经搭建完成高纯EBR装置，成为国内首家建有高纯EBR精馏塔设备及掌握高纯精馏技术的本土溶剂供应商。
“公司生产的EBR溶剂已达到G4等级规格，可满足国内40纳米以下工艺制程的芯片制造技术需求，年产2万吨的规模量产能力可有效满足国内先进制程需求。预计第四季度将完成高纯度G5等级EBR的验证，已在国内几家先进芯片制造商中逐步推动产品验证。”彤程新材指出。
在公告光刻胶项目进展之余，彤程新材亦从客户认证、市场和原材料方面提示了风险。包括：该项目产品存在客户认证周期长和认证计划不确定的风险，能否通过认证尚存在一定的不确定性；项目定位于实现相关材料的国产替代，公司将直接面对国外龙头厂商的激烈市场竞争等。
定期报告显示，彤程新材主要从事新材料的研发、生产、销售和相关贸易业务，目前在中国拥有多家精益制造工厂和国家级实验室。公司是全球知名的特种橡胶助剂和高端酚醛树脂生产商，在汽车/轮胎用特种材料方面长期处于国际领导者地位，也是国内半导体和显示面板光刻胶等电子化学品领先企业。
今年前三季度，彤程新材实现营收约21.96亿元，同比增加18.89%；同期实现归母净利润约3.5亿元，同比增加45.57%。业绩增长主要系公司经营收入稳步增加，以及确认联营企业投资收益增加。